GSI Technology GS8662S08BGD-400I
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GS8662S08BGD-400I
2984-GS8662S08BGD-400I
存储器
BGA-165
大陆
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Standard SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-216CAB-1, FPBGA-165
1最小包装量--
GS8662S08BGD-400I详情
GSI Technology GS8662S08BGD-400I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
BGA-165
表面安装
YES
引脚数
165
终端数量
165
RoHS
Compliant
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
400 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
1.9 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
15
Supply Voltage-Min
1.7 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SigmaSIO DDR-II
Memory Types
DDR
Package Description
LBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GS8662S08BGD-400I
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.71
Part Package Code
BGA
包装
Bulk
系列
GS8662S08BGD
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
SigmaSIO DDR-II
最高工作温度
100 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
Memory & Data Storage
技术
CMOS
电压 - 供电
1.8 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
72 Mbit
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
745 mA
组织结构
8 M x 8
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
8
地址总线宽度
22 b
产品类别
SRAM
密度
72 Mb
记忆密度
72
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.9 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
产品类别
SRAM
宽度
13 mm
长度
15 mm
辐射硬化
无
GS8662S08BGD-400I拓展信息
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