GSI Technology GS8673ET18BGK-725IS
- 收藏
- 对比
GS8673ET18BGK-725IS
2984-GS8673ET18BGK-725IS
存储器
--
大陆
立即发货

DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA260, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-260
1最小包装量--
GS8673ET18BGK-725IS详情
GSI Technology GS8673ET18BGK-725IS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
260
RoHS
Compliant
Package Description
HBGA,
Package Style
GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GS8673ET18BGK-725IS
Number of Words
4194304 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.35 V
Package Code
HBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
GSI技术
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.72
ECCN 代码
3A991.B.2.B
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
电压 - 供电
1.35 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B260
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
4MX18
座位高度-最大
2.3 mm
内存宽度
18
密度
72 Mb
记忆密度
75497472 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
DDR SRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.4 V
电压 - 供电 (最小值)
1.3 V
宽度
14 mm
长度
22 mm
辐射硬化
无
GS8673ET18BGK-725IS拓展信息
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology







哦! 它是空的。