GSI Technology GS88018CGT-333
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GS88018CGT-333
2984-GS88018CGT-333
存储器
TQFP-100
大陆
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Cache SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
1最小包装量--
GS88018CGT-333详情
GSI Technology GS88018CGT-333重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TQFP-100
Maximum Clock Rate
222.2@Flow-Through/333@Pipelined MHz
Supplier Package
TQFP
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
Minimum Operating Supply Voltage
2.3, 3 V
Number of I/O Lines
18 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
2.7, 3.6 V
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
333 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
36
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SyncBurst
RoHS
Details
Memory Types
SDR
操作温度
0 to 70 °C
系列
GS88018CGT
包装
Tray
类型
Pipeline/Flow Through
子类别
Memory & Data Storage
引脚数量
100
内存大小
9 Mbit
电源电流-最大值
165 mA, 220 mA
访问时间
4.5@Flow-Through/2.5
组织结构
512 k x 18
地址总线宽度
19 Bit
产品类别
SRAM
记忆密度
9
产品类别
SRAM
GS88018CGT-333拓展信息
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