GSI Technology GS880F32CGT-5I
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GS880F32CGT-5I
2984-GS880F32CGT-5I
存储器
TQFP-100
大陆
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Cache SRAM, 256KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
1最小包装量--
GS880F32CGT-5I详情
GSI Technology GS880F32CGT-5I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TQFP-100
引脚数
100
Maximum Clock Rate
200 MHz
Supplier Package
TQFP
Data Rate Architecture
SDR
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
Minimum Operating Supply Voltage
2.3, 3 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
256 kWords
Number of I/O Lines
32 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
2.7, 3.6 V
Mounting
表面贴装
RoHS
Compliant
Moisture Sensitive
有
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
36
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SyncBurst
Memory Types
SDR
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40 to 85 °C
系列
GS880F32CGT
包装
Tray
类型
流过
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
子类别
Memory & Data Storage
内存大小
9 Mbit
端口的数量
4
电源电流-最大值
185 mA
访问时间
5 ns
建筑学
Flow-Through
组织结构
256 k x 32
地址总线宽度
18 Bit
产品类别
SRAM
密度
8 Mbit
筛选水平
Industrial
产品类别
SRAM
辐射硬化
无
GS880F32CGT-5I拓展信息
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