GSI Technology GS88136CGD-150IV

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

引脚数

165

终端数量

165

Maximum Clock Rate

133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

1.8, 2.5 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.7, 2.3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

256 kWords

Number of I/O Lines

36 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2, 2.7 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

150 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

2.7 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

66

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

RoHS

Details

Memory Types

SDR

Package Description

LQFP,

Package Style

网格排列

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

7.5 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS88136CGD-150IV

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.14

Part Package Code

BGA

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

GS88136CGD

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

同步突发

附加功能

ALSO OPERATES AT 2.5V

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

9 Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

130 mA, 145 mA

访问时间

7.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

256 k x 36

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

32

地址总线宽度

18 Bit

产品类别

SRAM

密度

9 Mbit

记忆密度

8388608 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm