GSI Technology GS881Z36CD-200I
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GS881Z36CD-200I
2984-GS881Z36CD-200I
存储器
BGA-165
大陆
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ZBT SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
1最小包装量--
GS881Z36CD-200I详情
GSI Technology GS881Z36CD-200I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
BGA-165
表面安装
YES
引脚数
100
终端数量
100
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
200 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
72
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Memory Types
SDR
Tradename
NBT SRAM
Brand
GSI技术
Manufacturer
GSI技术
RoHS
Compliant
Package Description
LQFP,
Package Style
FLATPACK, LOW PROFILE
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
6.5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
GS881Z36CD-200I
Number of Words
262144 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
LQFP
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.28
Part Package Code
QFP
系列
GS881Z36CD
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
NBT Pipeline/Flow Through
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
Memory & Data Storage
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PQFP-G100
资历状况
不合格
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
9 Mbit
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
160 mA, 190 mA
访问时间
6.5 ns
组织结构
256 k x 36
座位高度-最大
1.6 mm
内存宽度
36
地址总线宽度
18 b
产品类别
SRAM
密度
9 Mb
记忆密度
9437184 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
ZBT SRAM
电压 - 供电 (最大值)
2.7 V
电压 - 供电 (最小值)
2.3 V
产品类别
SRAM
宽度
14 mm
长度
20 mm
辐射硬化
无
GS881Z36CD-200I拓展信息
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