GSI Technology GS881Z36CGD-200I

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

引脚数

100

终端数量

100

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

200 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

72

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

NBT SRAM

RoHS

Details

Memory Types

SDR

Package Description

LQFP,

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

6.5 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS881Z36CGD-200I

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.28

Part Package Code

QFP

系列

GS881Z36CGD

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

NBT Pipeline/Flow Through

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

不合格

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

9 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

160 mA, 190 mA

访问时间

6.5 ns

组织结构

256 k x 36

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

36

产品类别

SRAM

记忆密度

9437184 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

ZBT SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2.7 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

20 mm