GSI Technology GS88218CGD-200I

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

终端数量

165

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

200 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

72

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

RoHS

Details

Memory Types

SDR

Package Description

LBGA,

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

6.5 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS88218CGD-200I

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.13

Part Package Code

BGA

系列

GS88218CGD

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

Pipeline/Flow Through

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

9 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

150 mA, 175 mA

访问时间

6.5 ns

组织结构

512 k x 18

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

19 b

产品类别

SRAM

密度

9 Mb

记忆密度

9437184 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm

辐射硬化

无