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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 单个 HGT1S14N37G3VLS
HGT1S14N37G3VLS
HGT1S14N37G3VLS

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Harris Semiconductor HGT1S14N37G3VLS

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型号

HGT1S14N37G3VLS

品牌

Harris Semiconductor

utmel 编号

1050-HGT1S14N37G3VLS

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), N-Channel, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

起订量

1最小包装量--

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HGT1S14N37G3VLS
HGT1S14N37G3VLS Harris Semiconductor Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), N-Channel, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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HGT1S14N37G3VLS详情

技术参数

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Harris Semiconductor HGT1S14N37G3VLS重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    HARRIS SEMICONDUCTOR

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL, VOLTAGE CLAMPING, ULTRA FAST SWITCHING

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-263AB

  • 集电极电流-最大值(IC)

    14 A

0个相似型号

技术文档: Harris Semiconductor HGT1S14N37G3VLS.

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