Harris Semiconductor IRFD120

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Drain Current-Max (ID)

1.3 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1 W