Harris Semiconductor JANTX2N6782
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JANTX2N6782
1050-JANTX2N6782
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
1最小包装量--
JANTX2N6782详情
Harris Semiconductor JANTX2N6782重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Drain Current-Max (ID)
3.5 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Turn-off Time-Max (toff)
45 ns
Turn-on Time-Max (ton)
40 ns
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
未说明
附加功能
辐射硬化
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
参考标准
MILITARY STANDARD (USA)
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-205AF
漏极-源极导通最大电阻
0.6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
14 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
25 pF
环境耗散-最大值
15 W
JANTX2N6782拓展信息







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