Harris Semiconductor IRFP450
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IRFP450
1050-IRFP450
晶体管 - 特殊用途
2-PLCC
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
1最小包装量--
IRFP450详情
Harris Semiconductor IRFP450重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
2-PLCC
表面安装
NO
供应商器件包装
2-PLCC
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
厂商
Dialight
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Drain Current-Max (ID)
14 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Max (toff)
160 ns
Turn-on Time-Max (ton)
93 ns
Gross weight
5.17
Transport packaging size/quantity
63*35*17/120
Current consumption
20 mA
Rise/fall time
5 ns
系列
597
包装
Tape & Reel (TR)
尺寸/尺寸
3.20mm L x 2.80mm W
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
Quartz generator HCMOS/ TTL
端子表面处理
锡铅
颜色
White
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Supply voltage
3.3 V
深度
20.4 mm
Reach合规守则
unknown
频率
16000 MHz
Frequency stability
+/- 25 ppm
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
电压 - 正向 (Vf) (类型)
3.1V
视角
131°
箱体转运
DRAIN
测试电流
10mA
镜头风格
圆形,带平顶
晶体管应用
SWITCHING
镜头尺寸
2.29mm Dia
极性/通道类型
N-CHANNEL
Operating temperature range
-40...+85 °C
Millicandela评级
135mcd
JEDEC-95代码
TO-247
漏极-源极导通最大电阻
0.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
56 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
180 W
房屋
DIL14
环境耗散-最大值
180 W
高度
5.4 mm
宽度
12.8 mm
高度(最大)
2.15mm
IRFP450拓展信息







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