Harris Semiconductor JANTX2N6851
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JANTX2N6851
1050-JANTX2N6851
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
1最小包装量--
JANTX2N6851详情
Harris Semiconductor JANTX2N6851重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Package Description
TO-39, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
4 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Turn-off Time-Max (toff)
160 ns
Turn-on Time-Max (ton)
150 ns
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-205AF
漏极-源极导通最大电阻
0.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
500 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
25 W
反馈上限-最大值 (Crss)
50 pF
JANTX2N6851拓展信息







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