JANTX2N6851
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Harris Semiconductor JANTX2N6851

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型号

JANTX2N6851

utmel 编号

1050-JANTX2N6851

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

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JANTX2N6851
JANTX2N6851 Harris Semiconductor Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

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JANTX2N6851详情

Harris Semiconductor JANTX2N6851重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    HARRIS SEMICONDUCTOR

  • Package Description

    TO-39, 3 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    4 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    METAL

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Turn-off Time-Max (toff)

    160 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    150 ns

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-205AF

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.8 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    20 A

  • DS 击穿电压-最小值

    200 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    500 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    25 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    50 pF

0个相似型号

技术文档: Harris Semiconductor JANTX2N6851.

JANTX2N6851拓展信息

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