Harris Semiconductor IRFD223

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Package Description

IN-LINE, R-PDIP-T3

Drain Current-Max (ID)

0.7 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

1.2 Ω

DS 击穿电压-最小值

150 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1 W