Harris Semiconductor RF1K49086
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RF1K49086
1050-RF1K49086
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.132ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
1最小包装量--
RF1K49086详情
Harris Semiconductor RF1K49086重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Drain Current-Max (ID)
3.5 A
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
130 ns
Turn-on Time-Max (ton)
50 ns
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.132 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2 W
RF1K49086拓展信息







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