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Harris Semiconductor RFD8P06LESM9A

Name: RFD8P06LESM9A
Brand: Harris Semiconductor
SKU: 1050-RFD8P06LESM9A
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RFD8P06LESM9A

品牌

Harris Semiconductor

utmel 编号

1050-RFD8P06LESM9A

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

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RFD8P06LESM9A Harris Semiconductor Description: Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

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RFD8P06LESM9A详情

技术参数

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Harris Semiconductor RFD8P06LESM9A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)

8 A
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
附加功能

逻辑电平兼容
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSSO-G2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
极性/通道类型

P-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω
DS 击穿电压-最小值

60 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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RFD8P06LESM9A拓展信息

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