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Harris Semiconductor RFP50N06LE

Name: RFP50N06LE
Brand: Harris Semiconductor
SKU: 1050-RFP50N06LE
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RFP50N06LE

品牌

Harris Semiconductor

utmel 编号

1050-RFP50N06LE

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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RFP50N06LE Harris Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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RFP50N06LE详情

技术参数

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Harris Semiconductor RFP50N06LE重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)

50 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

175 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
附加功能

逻辑电平兼容
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻

0.022 Ω
DS 击穿电压-最小值

60 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

145 W

0个相似型号

RFP50N06LE拓展信息

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