Infineon BC847BWE6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-SOT323-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

BC847BWE6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.33

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE

功率 - 最大

250 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

最大集极截止电流

15nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45 V

频率转换

250MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

200

连续集电极电流

100

集电极-发射器电压-最大值

45 V