Infineon BC857BWE6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-SOT323

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

BC857BWE6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

6.82

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

250 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

最大集极截止电流

15nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45 V

频率转换

250MHz

最大耗散功率(Abs)

0.25 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

220

连续集电极电流

100

集电极-发射器电压-最大值

45 V