Infineon BC860BWE6327

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

PG-SOT23

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

PNP

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

45 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

BC860BWE6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.37

包装

卷带

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

低噪音

最大功率耗散

250 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

100 mA

频率

250 MHz

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

330

功率 - 最大

330 mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

250 MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

100 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

-

最大集极截止电流

15nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45 V

转换频率

250

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

220

连续集电极电流

100

集电极-发射器电压-最大值

45 V

无铅

无铅