Infineon BCP51-16E6433

底架

表面贴装

包装/外壳

SOT-223-4

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

PG-SOT223-4

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

hFEMin

40

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

-45 V

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.003951 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

4000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

125 MHz

Part # Aliases

SP000010703 BCP5116E6433HTMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Maximum DC Collector Current

1 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

45 V

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

125 MHz

Manufacturer Part Number

BCP51-16E6433

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.21

系列

BCP51

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

2 W

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

-1 A

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

COMMERCIAL

极性

PNP

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

2 W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

125 MHz

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

1 A

转换频率

125 MHz

集电极基极电压(VCBO)

45 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

100

最大结点温度（Tj）

150 °C

连续集电极电流

1 A

集电极-发射器电压-最大值

45 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

高度

1.8 mm

宽度

3.5 mm

长度

6.5 mm

无铅

无铅