BCR198B6327详情
Infineon BCR198B6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
hFEMin
70
Voltage Rating (DC)
-50 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
200 mW
额定电流
-70 mA
极性
PNP
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
300 mV
最大集电极电流
100 mA
转换频率
190 MHz
无铅
无铅
BCR198B6327拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
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