BCR198B6327
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Infineon BCR198B6327

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型号

BCR198B6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BCR198B6327

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BCR198B6327
BCR198B6327 Infineon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BCR198B6327详情

Infineon BCR198B6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50 V

  • hFEMin

    70

  • Voltage Rating (DC)

    -50 V

  • RoHS

    Compliant

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    200 mW

  • 额定电流

    -70 mA

  • 极性

    PNP

  • 元素配置

    Single

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300 mV

  • 最大集电极电流

    100 mA

  • 转换频率

    190 MHz

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Infineon BCR198B6327.

BCR198B6327拓展信息

SMBT3906SE6327
BFP740E6327
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BCX5316E6327
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BCR185WE6327
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Infineon

SKP04N60
SKP04N60

Infineon

BCR185SE6327
BCR185SE6327

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IHW40T60
IHW40T60

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IHW15T120
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FS400R07A1E3
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BCV48E6327
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