Infineon BCX5216E6327

底架

表面贴装

包装/外壳

SOT-89-4

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

PG-SOT89-4-2

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

PNP

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

hFEMin

25

Voltage Rating (DC)

-60 V

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.004603 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

125 MHz

Part # Aliases

SP000014830 BCX5216E6327HTSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Maximum DC Collector Current

1 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

125 MHz

Manufacturer Part Number

BCX52-16E6327

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.39

包装

Cut Tape (CT)

系列

BCX52

操作温度

150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

2 W

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

-1 A

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

COMMERCIAL

极性

PNP

配置

Single

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2 W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

125 MHz

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

转换频率

125 MHz

最大击穿电压

80 V

频率转换

125MHz

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

宽度

2.5 mm

高度

1.5 mm

长度

4.5 mm

无铅

无铅