BFN38E6327
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Infineon BFN38E6327

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型号

BFN38E6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BFN38E6327

商品类别

分立半导体产品

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SOT-223, 4 PIN

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BFN38E6327
BFN38E6327 Infineon Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SOT-223, 4 PIN

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BFN38E6327详情

Infineon BFN38E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 引脚数

    4

  • 供应商器件包装

    PG-SOT223-4

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    300 V

  • Voltage Rating (DC)

    300 V

  • RoHS

    Compliant

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    200 mA

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    1.5 W

  • 额定电流

    200 mA

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    1.5

  • 功率 - 最大

    1.5 W

  • 增益带宽积

    70 MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300 V

  • 最大集电极电流

    200 mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    40 @ 10mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    100nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    500mV @ 2mA, 20mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    300 V

  • 转换频率

    70

  • 频率转换

    70MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    300 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5 V

  • 连续集电极电流

    200

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Infineon BFN38E6327.

BFN38E6327拓展信息

SMBT3906SE6327
BFP740E6327
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BCX5316E6327
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BCR185WE6327
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SKP04N60
SKP04N60

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BCR185SE6327
BCR185SE6327

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IHW40T60
IHW40T60

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IHW15T120
IHW15T120

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FS400R07A1E3
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BCV48E6327
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