Infineon BFP540ESDE6327

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

5 V

Voltage Rating (DC)

4 V

RoHS

Compliant

Package Description

SOT-343, 4 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

34000 MHz

Manufacturer Part Number

BFP540ESDE6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.3

Part Package Code

SOT

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY, LOW NOISE

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

250 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

80 mA

频率

30 GHz

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

250 mW

箱体转运

EMITTER

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

30 GHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

4.5 V

最大集电极电流

80 mA

增益

21.5 dB

最高频率

30 GHz

转换频率

30 GHz

最大击穿电压

5 V

集电极基极电压(VCBO)

10 V

最大耗散功率(Abs)

0.25 W

发射极基极电压 (VEBO)

1 V

集电极电流-最大值(IC)

0.08 A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

4 V

最高频段

L带

集电极-基极电容-最大值

0.24 pF

辐射硬化

无

无铅

无铅