BFP650E6327
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Infineon BFP650E6327

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型号

BFP650E6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BFP650E6327

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BFP650E6327
BFP650E6327 Infineon RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BFP650E6327详情

Infineon BFP650E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    4

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    4.5 V

  • Number of Elements

    1

  • Voltage Rating (DC)

    4 V

  • RoHS

    Compliant

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BFP650-E6327

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.84

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 子类别

    其他晶体管

  • 最大功率耗散

    500 mW

  • Reach合规守则

    unknown

  • 额定电流

    4 A

  • 频率

    37 GHz

  • 极性

    NPN

  • 配置

    Single

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    500 mW

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    4 V

  • 最大集电极电流

    150 mA

  • 增益

    21.5 dB

  • 转换频率

    37 GHz

  • 最大击穿电压

    4.5 V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    13 V

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.5 W

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    1.2 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.15 A

  • 最小直流增益(hFE)

    100

  • 连续集电极电流

    150 mA

  • 宽度

    1.25 mm

  • 高度

    900 µm

  • 长度

    2 mm

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

BFP650E6327拓展信息

SMBT3906SE6327
BFP740E6327
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