BFP650E6327详情
Infineon BFP650E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
4.5 V
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
4 V
RoHS
Compliant
Moisture Sensitivity Levels
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BFP650-E6327
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.84
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
其他晶体管
最大功率耗散
500 mW
Reach合规守则
unknown
额定电流
4 A
频率
37 GHz
极性
NPN
配置
Single
元素配置
Single
功率耗散
500 mW
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
4 V
最大集电极电流
150 mA
增益
21.5 dB
转换频率
37 GHz
最大击穿电压
4.5 V
集电极基极电压(VCBO)
13 V
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
发射极基极电压 (VEBO)
1.2 V
集电极电流-最大值(IC)
0.15 A
最小直流增益(hFE)
100
连续集电极电流
150 mA
宽度
1.25 mm
高度
900 µm
长度
2 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
BFP650E6327拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon








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