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Infineon BFP650E6327

Name: BFP650E6327
Brand: Infineon
SKU: 1211-BFP650E6327
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BFP650E6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BFP650E6327

商品类别

分立半导体产品

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BFP650E6327 Infineon RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BFP650E6327详情

技术参数

Infineon BFP650E6327重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
表面安装

YES
引脚数

4
Collector-Emitter Breakdown Voltage

4.5 V
Number of Elements

1
Voltage Rating (DC)

4 V
RoHS

Compliant
Moisture Sensitivity Levels

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

BFP650-E6327
Manufacturer

Infineon Technologies AG
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank

5.84
ECCN 代码

EAR99
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-65 °C
子类别

其他晶体管
最大功率耗散

500 mW
Reach合规守则

unknown
额定电流

4 A
频率

37 GHz
极性

NPN
配置

Single
元素配置

Single
功率耗散

500 mW
极性/通道类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

4 V
最大集电极电流

150 mA
增益

21.5 dB
转换频率

37 GHz
最大击穿电压

4.5 V
集电极基极电压(VCBO)

13 V
最大耗散功率(Abs)

0.5 W
发射极基极电压 (VEBO)

1.2 V
集电极电流-最大值(IC)

0.15 A
最小直流增益（hFE）

100
连续集电极电流

150 mA
宽度

1.25 mm
高度

900 µm
长度

2 mm
辐射硬化

无
无铅

无铅

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BFP650E6327拓展信息

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