BFP650FE6327XT详情
Infineon BFP650FE6327XT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
4
材料
SiGe
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Automotive
有
PPAP
Unknown
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
13
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
4
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)
&l;20
Maximum Emitter Base Voltage (V)
1.2
Maximum DC Collector Current (A)
0.15
Maximum DC Collector Current Range (A)
0.12 to 0.5
Minimum DC Current Gain
110@80mA@3V
Minimum DC Current Gain Range
50 to 120
Maximum Power Dissipation (mW)
500
Maximum Transition Frequency (MHz)
42000(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Supplier Temperature Grade
汽车
Mounting
表面贴装
Package Height
0.55
Package Width
0.8
Package Length
1.4
PCB changed
4
Supplier Package
TSFP
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
包装
卷带
零件状态
Obsolete
类型
NPN
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
频率
42 GHz
引脚数量
4
极性
NPN
配置
单双发射器
功率耗散
500 mW
集电极发射器电压(VCEO)
4 V
集电极基极电压(VCBO)
13 V
发射极基极电压 (VEBO)
1.2 V
BFP650FE6327XT拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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