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1000

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Infineon Technologies BFP640H6327XTSA1

Name: BFP640H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BFP640H6327XTSA1
Price: 1.41 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BFP640H6327XTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BFP640H6327XTSA1

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

SC-82A, SOT-343

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 4V 0.05A 4-Pin(3 Tab) SOT-343 T/R

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BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies Trans GP BJT NPN 4V 0.05A 4-Pin(3 Tab) SOT-343 T/R

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BFP640H6327XTSA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies BFP640H6327XTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-82A, SOT-343
引脚数

4
晶体管元件材料

硅锗
Collector-Emitter Breakdown Voltage

4V
Number of Elements

1
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2005
JESD-609代码

e3
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

4
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Matte Tin (Sn)
附加功能

LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
最大功率耗散

200mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
频率

40GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
基本部件号

BFP640
配置

SINGLE
功率耗散

200mW
晶体管应用

AMPLIFIER
无卤素

无卤素
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

4V
最大集电极电流

50mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

110 @ 30mA 3V
增益

12.5dB
电压 - 集射极击穿（最大值）

4.5V
转换频率

40000MHz
最大击穿电压

4.5V
集电极基极电压(VCBO)

13V
发射极基极电压 (VEBO)

1.2V
集电极-基极电容-最大值

0.2pF
噪音数字(分贝类型@ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
达到SVHC

无SVHC
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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BFP640H6327XTSA1拓展信息

热销零件