Infineon Technologies BFR106E6327HTSA1

工厂交货时间

99 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Number of Elements

1

hFEMin

70

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

15V

最大功率耗散

700mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

210mA

频率

5GHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BFR106

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

700mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

16V

最大集电极电流

210mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 70mA 8V

增益

8.5dB ~ 13dB

转换频率

5000MHz

最大击穿电压

12V

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

最大结点温度（Tj）

150°C

噪音数字(分贝类型@ f)

1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz

高度

1.1mm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅