注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.626378
10
¥1.534319
100
¥1.447471
500
¥1.365539
1000
¥1.288244
Infineon Technologies BFP650FH6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BFP650FH6327XTSA1
1211-BFP650FH6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
4-SMD, Flat Leads
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 4V 0.15A 4-Pin TSFP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BFP650FH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BFP650FH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, Flat Leads
引脚数
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
4.5V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2003
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
500mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
42GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BFP650
功率耗散
500mW
无卤素
无卤素
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
4V
最大集电极电流
150mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
110 @ 80mA 3V
增益
11dB ~ 21.5dB
最大击穿电压
4.5V
集电极基极电压(VCBO)
13V
发射极基极电压 (VEBO)
1.2V
噪音数字(分贝类型@ f)
0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BFP650FH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。