BGR420H6327
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Infineon BGR420H6327

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型号

BGR420H6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BGR420H6327

商品类别

分立半导体产品

封装

SC-82A, SOT-343

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BGR420H6327
BGR420H6327 Infineon RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BGR420H6327详情

Infineon BGR420H6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-82A, SOT-343

  • 供应商器件包装

    PG-SOT343-4-1

  • Unit Weight

    0.000238 oz

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Part # Aliases

    BC857SH6433XTMA1 SP000750468 BGR42H6327XT BGR420H6327XTSA1

  • Manufacturer

    Infineon

  • Brand

    Infineon Technologies

  • RoHS

    Details

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    25mA

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    活跃

  • 系列

    BGR420

  • 包装

    切割胶带

  • 操作温度

    -65°C ~ 150°C (TJ)

  • 类型

    射频双极功率

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • 功率 - 最大

    120mW

  • 产品类别

    射频双极晶体管

  • 晶体管类型

    双极电源

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    -

  • 增益

    26dB

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    13V

  • 频率转换

    -

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz

  • 产品类别

    射频双极晶体管

0个相似型号

技术文档: Infineon BGR420H6327.

BGR420H6327拓展信息

SMBT3906SE6327
BFP740E6327
BFP740E6327

Infineon

BCX5316E6327
BCX5316E6327

Infineon

BCR185WE6327
BCR185WE6327

Infineon

SKP04N60
SKP04N60

Infineon

BCR185SE6327
BCR185SE6327

Infineon

IHW40T60
IHW40T60

Infineon

IHW15T120
IHW15T120

Infineon

FS400R07A1E3
FS400R07A1E3

Infineon

BCV48E6327
BCV48E6327

Infineon

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