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BSM200GA170DN2
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Infineon BSM200GA170DN2

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型号

BSM200GA170DN2

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BSM200GA170DN2

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 290A I(C), 1700V V(BR)CES

起订量

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BSM200GA170DN2
BSM200GA170DN2 Infineon Insulated Gate Bipolar Transistor, 290A I(C), 1700V V(BR)CES

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BSM200GA170DN2详情

技术参数

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Infineon BSM200GA170DN2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    BSM200GA170DN2

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.84

  • 无铅代码

    有

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • Reach合规守则

    unknown

  • 最大耗散功率(Abs)

    1750 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    290 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1700 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    3.9 V

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技术文档: Infineon BSM200GA170DN2.

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公司资质

ISO13485
AS
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