BSM30GP60详情
Infineon BSM30GP60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
表面安装
NO
引脚数
2
终端数量
24
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
BSM30GP60
Manufacturer
Infineon
RoHS
有
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.45 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600 V
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)
105 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
315 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
7
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.71
Part Package Code
MODULE
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-40 °C
子类别
绝缘栅BIP晶体管
最大功率耗散
180 W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
24
JESD-30代码
R-XUFM-X24
资历状况
不合格
配置
COMPLEX
功率耗散
180 W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600 V
最大集电极电流
50 A
最大耗散功率(Abs)
280 W
集电极电流-最大值(IC)
70 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.45 V
宽度
45 mm
高度
17 mm
长度
107.5 mm
BSM30GP60拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon








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