Infineon BSO211P H

安装类型

面板安装

包装/外壳

SOIC-8

越来越多的功能

Flange

外壳材料

铝合金

供应商器件包装

532-FCBGA (23x23)

Voltage, Rating

600VAC, 850VDC

Package

Bulk

Primary Material

Metal

Base Product Number

KPT00

厂商

ITT Cannon, LLC

Product Status

活跃

Contact Finish Mating

Gold

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20 V

Moisture Sensitive

有

Typical Turn-On Delay Time

9 ns, 9 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1.2 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Transistor Polarity

P-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 12 V, + 12 V

Unit Weight

0.019048 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

8 S, 8 S

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000613844 BSO211PHXUMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

10 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

54 mOhms, 54 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

23 ns, 23 ns

Id - Continuous Drain Current

4.6 A

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A (Ta)

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

KPT

包装

MouseReel

终端

焊杯

连接器类型

Receptacle, Male Pins

定位的数量

6

颜色

橄榄色

紧固类型

卡口锁

子类别

MOSFETs

额定电流

7.5A

技术

Si

方向

N (Normal)

屏蔽/屏蔽

-

入口保护

-

外壳完成

橄榄色镉

外壳尺寸-插入

10-98

配置

Dual

通道数量

2 Channel

外壳尺寸，MIL

-

功率 - 最大

1.6W (Ta)

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

67mOhm @ 4.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 25µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1095pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 4.5V

上升时间

13 ns, 13 ns

漏源电压 (Vdss)

20V

产品类别

MOSFET

晶体管类型

2 P-Channel

场效应管特性

Logic Level Gate, 2.5V Drive

特征

Backshell

产品类别

MOSFET

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

长度

4.9 mm

触点表面处理厚度 - 配套

50.0µin (1.27µm)