Infineon BSS295

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

供应商未确认

ECCN (US)

EAR99

Automotive

无

PPAP

无

Category

小信号

Process Technology

SIPMOS

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

50

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

1.4@Ta=24C

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

300@10V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

320@25V

Maximum Power Dissipation (mW)

1000

Typical Fall Time (ns)

85

Typical Rise Time (ns)

20

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

120

Typical Turn-On Delay Time (ns)

8

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Mounting

通孔

PCB changed

3

Standard Package Name

TO-92

Supplier Package

TO-92

Lead Shape

通孔

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BSS295

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Siemens

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

西门子 A G

Risk Rank

5.16

Drain Current-Max (ID)

1.4 A

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-92

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.4 A

漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω

DS 击穿电压-最小值

50 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1 W

反馈上限-最大值 (Crss)

75 pF