FB15R06W1E3详情
Infineon FB15R06W1E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
EASY1B
表面安装
NO
终端数量
23
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
FB15R06W1E3
Manufacturer
Infineon
RoHS
有
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Brand
Infineon Technologies
Part # Aliases
SP000307553 FB15R06W1E3BOMA1
Mounting Styles
底座安装
Continuous Collector Current at 25 C
24 A
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
24
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Unit Weight
0.846575 oz
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
81 W
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)
29 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
260 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
6
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
8.48
Part Package Code
MODULE
无铅代码
有
子类别
IGBTs
技术
Si
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
23
JESD-30代码
R-XUFM-X23
资历状况
不合格
电路
Single phase input rectifier
配置
3-Phase Inverter
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
IGBT模块
最大耗散功率(Abs)
81 W
集电极电流-最大值(IC)
24 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2 V
产品
IGBT硅模块
产品类别
IGBT模块
长度
62.8 mm
高度
12 mm
宽度
33.8 mm
FB15R06W1E3拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








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