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Infineon FF200R06YE3BOMA1

Name: FF200R06YE3BOMA1
Brand: Infineon
SKU: 1211-FF200R06YE3BOMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FF200R06YE3BOMA1

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-FF200R06YE3BOMA1

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FF200R06YE3BOMA1 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Modules product details from Infineon stock available at utmel

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FF200R06YE3BOMA1 Infineon

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FF200R06YE3BOMA1详情

技术参数

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Infineon FF200R06YE3BOMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
EU RoHS

符合免除
ECCN (US)

EAR99
Automotive

无
PPAP

无
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)

1.45
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

600
Maximum Power Dissipation (mW)

515
Maximum Gate Emitter Voltage (V)

±20
Maximum Continuous Collector Current (A)

220
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)

0.4
Minimum Operating Temperature (°C)

-40
Maximum Operating Temperature (°C)

150
包装

Tray
零件状态

Obsolete
配置

Dual
信道型

N

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