FF650R17IE4D_B2详情
Infineon FF650R17IE4D_B2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
包装/外壳
Module
引脚数
10
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.7kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2V
Number of Elements
2
Power Dissipation (Max)
4.15kW
无铅代码
no
终止次数
10
端子表面处理
未说明
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.7kV
最大集电极电流
930A
接通时间
765 ns
关断时间-标准值(toff)
1870 ns
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
FF650R17IE4D_B2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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