FS100R12KT4_B11
FS100R12KT4_B11

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Infineon FS100R12KT4_B11

  • 收藏
  • 对比

型号

FS100R12KT4_B11

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-FS100R12KT4_B11

商品类别

分立半导体产品

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
FS100R12KT4_B11
FS100R12KT4_B11 Infineon Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25

请发送询价,我们将立即回复。

库存:105

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

FS100R12KT4_B11详情

Infineon FS100R12KT4_B11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    1 Week

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    AG-ECONO2B

  • 终端数量

    25

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.75

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100 A

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    185 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    490 ns

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    FS100R12KT4_B11

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    6

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Part Package Code

    MODULE

  • Risk Rank

    5.52

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • 操作温度

    -40°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    25

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X25

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    三相逆变器

  • 功率耗散

    515

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 功率 - 最大

    515 W

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 最大集极截止电流

    1 mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200 V

  • 最大耗散功率(Abs)

    515 W

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.1V @ 15V, 100A

  • 集电极电流-最大值(IC)

    100 A

  • 连续集电极电流

    100

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200 V

  • NTC热敏电阻

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • 输入电容(Cies)@Vce

    6.3 nF @ 25 V

  • VCEsat-最大值

    2.1 V

0个相似型号

技术文档: Infineon FS100R12KT4_B11.

FS100R12KT4_B11拓展信息

SMBT3906SE6327
BFP740E6327
BFP740E6327

Infineon

BCX5316E6327
BCX5316E6327

Infineon

BCR185WE6327
BCR185WE6327

Infineon

SKP04N60
SKP04N60

Infineon

BCR185SE6327
BCR185SE6327

Infineon

IHW40T60
IHW40T60

Infineon

IHW15T120
IHW15T120

Infineon

FS400R07A1E3
FS400R07A1E3

Infineon

BCV48E6327
BCV48E6327

Infineon

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z