FS200R12PT4
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Infineon FS200R12PT4

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型号

FS200R12PT4

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-FS200R12PT4

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

INFINEON FS200R12PT4 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 1.75 V, 1 kW, 1.2 kV, Module

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FS200R12PT4
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FS200R12PT4详情

Infineon FS200R12PT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 包装/外壳

    Module

  • 引脚数

    20

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.2kV

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.15V

  • Number of Elements

    6

  • Power Dissipation (Max)

    1kW

  • 无铅代码

    yes

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    20

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    20

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

  • 功率耗散

    1kW

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.2kV

  • 最大集电极电流

    280A

  • 接通时间

    190 ns

  • 关断时间-标准值(toff)

    600 ns

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Infineon FS200R12PT4.

FS200R12PT4拓展信息

FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

FS820R08A6P2BBPSA1
FS820R08A6P2BBPSA1

Infineon Technologies

FF450R12ME4BOSA1
FF450R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R17ME4BOSA1
FF450R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

FF75R12RT4HOSA1
FF75R12RT4HOSA1

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FD150R12RT4HOSA1
FD150R12RT4HOSA1

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FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1

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