Infineon FS225R12KE3

包装/外壳

QFN

表面安装

NO

终端数量

29

晶体管元件材料

SILICON

Product Depth (mm)

2.5(mm)

Operating Temp Range

-40C to 105C

Mounting Styles

表面贴装

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Pd - Power Dissipation

1150 W

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7 V

Unit Weight

2.006 lbs

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

4

Continuous Collector Current at 25 C

325 A

Part # Aliases

SP000100404 FS225R12KE3BOSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Tradename

TRENCHSTOP经济型包装

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

400 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

810 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

FS225R12KE3

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

6

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

7.7

Usage Level

Industrial grade

包装

Bulk

系列

Trenchstop IGBT3 - E3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

子类别

IGBTs

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-XUFM-X29

资历状况

不合格

配置

6-Pack

箱体转运

ISOLATED

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

IGBT模块

筛选水平

Industrial

最大耗散功率(Abs)

1100 W

集电极电流-最大值(IC)

325 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

2.1 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块

产品长度(mm)

3.2(mm)

宽度

150 mm

高度

17 mm

长度

162 mm

产品高度(mm)

0.75(mm)