IGO60R070D1AUMA2
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Infineon IGO60R070D1AUMA2

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型号

IGO60R070D1AUMA2

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IGO60R070D1AUMA2

商品类别

晶体管 - JFET

封装

PG-DSO-20

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor JFET N-CH 600V 31A 20-Pin DSO

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IGO60R070D1AUMA2
IGO60R070D1AUMA2 Infineon Transistor JFET N-CH 600V 31A 20-Pin DSO

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IGO60R070D1AUMA2详情

Infineon IGO60R070D1AUMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    PG-DSO-20

  • Qualification

    -

  • Continuous Drain Current Id

    31A

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    800 V

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    900 mV

  • Pd - Power Dissipation

    125 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 10 V, + 10 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Qg - Gate Charge

    5.8 nC

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    70 mOhms

  • Id - Continuous Drain Current

    31 A

  • 系列

    CoolGaN 600V

  • 技术

    GaN

  • 通道数量

    1 Channel

  • 信道型

    N

0个相似型号

技术文档: Infineon IGO60R070D1AUMA2.

IGO60R070D1AUMA2拓展信息

BCR119SE6393XT
BCR133SE6393XT
IGO60R070D1
IGO60R070D1

Infineon Technologies AG

IGT60R070D1
IGT60R070D1

Infineon Technologies AG

IGT60R190D1S
IGT60R190D1S

Infineon Technologies AG

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