Infineon IRF5210SHR

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

ECCN (US)

EAR99

HTS

8541.29.00.95

Automotive

无

PPAP

无

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

60@10V

Maximum Power Dissipation (mW)

3800

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRF5210SHR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.68

Drain Current-Max (ID)

40 A

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

140 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

信道型

P

雪崩能量等级（Eas）

780 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR