Infineon IRF5N5210SCS

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

供应商未确认

HTS

8542.31.00.01

Automotive

无

PPAP

无

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Power Dissipation (mW)

125000

Mounting

表面贴装

Package Height

3.07(Max)

Package Width

16(Max)

Package Length

11.55(Max)

PCB changed

3

Supplier Package

SMD-1

Package Description

CHIP CARRIER, R-XBCC-N3

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

UNSPECIFIED

Manufacturer Part Number

IRF5N5210SCS

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.66

Drain Current-Max (ID)

31 A

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-XBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

124 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

信道型

P

雪崩能量等级（Eas）

340 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR