IRFC120NB详情
Infineon IRFC120NB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
供应商器件包装
Die
Automotive
无
PPAP
无
Process Technology
HEXFET
Maximum Drain Source Voltage (V)
100
Standard Package Name
Die
Supplier Package
Die
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
供应商未确认
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.4A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
厂商
Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)
-
Product Status
Obsolete
操作温度
-
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
-
Rds On(Max)@Id,Vgs
210mOhm @ 9.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs(最大值)
-
场效应管特性
-
IRFC120NB拓展信息
Infineon Technologies
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