Infineon IRFC3810B

安装类型

表面贴装

包装/外壳

Die

供应商器件包装

Die

ECCN (US)

EAR99

Automotive

无

PPAP

无

Category

功率MOSFET

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

9@10V

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Package Height

0.38(Max)

Package Width

7.75

Package Length

9.4

Supplier Package

Die

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

-

Product Status

Obsolete

Package Description

,

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFC3810B

Manufacturer

International Rectifier

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.84

操作温度

-

系列

HEXFET®

零件状态

Obsolete

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

Reach合规守则

unknown

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

-

Rds On(Max)@Id,Vgs

9mOhm @ 170A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

-

极性/通道类型

N-CHANNEL

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-