Infineon IRHF67230SCS

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

不合规

Maximum Drain Source Voltage (V)

200

Maximum Power Dissipation (mW)

250000

Mounting

通孔

Package Height

4.54(Max)

PCB changed

3

Supplier Package

TO-205AF

Drain Current-Max (ID)

9.1 A

Risk Rank

5.76

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Package Shape

ROUND

Manufacturer Part Number

IRHF67230SCS

Rohs Code

无

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

METAL

Package Style

CYLINDRICAL

Package Description

TO-39, 3 PIN

零件状态

活跃

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

参考标准

RH - 100K Rad(Si)

JESD-30代码

O-MBCY-W3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

漏极-源极导通最大电阻

0.145 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36.4 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

23 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

直径

9.22(Max)