Infineon IRHLUB7930Z4

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

不合规

ECCN (US)

出口接触方式

HTS

8541.21.00.95

Automotive

无

PPAP

无

Category

功率MOSFET

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

60

Maximum Gate Source Voltage (V)

±10

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.53

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

[email protected]

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

3.6(Max)@4.5V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

167@25V

Maximum Power Dissipation (mW)

570

Typical Fall Time (ns)

27(Max)

Typical Rise Time (ns)

22(Max)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

27(Max)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

22(Max)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Mounting

表面贴装

Package Height

1.42(Max)

Package Width

2.74(Max)

Package Length

3.25(Max)

PCB changed

4

Standard Package Name

SMD

Supplier Package

UB

Lead Shape

No Lead

Package Description

UB-4

Package Style

小概要

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRHLUB7930Z4

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.4

Drain Current-Max (ID)

0.53 A

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

参考标准

RH - 300K Rad(Si)

JESD-30代码

R-XDSO-N3

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.53 A

漏极-源极导通最大电阻

1.4 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

信道型

P

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.6 W